硅-硅键合片

当外延层厚度大于50um，硅-硅键合片具有更好(hǎo)的成(chéng)本优势。

對(duì)于高压器件，例如MOSFET和IGBT来說(shuō)，是可行的替代材料。

良好(hǎo)的TEM和SRP测试结果，确保硅-硅键合片的质量。