SOI制造技术

TM-SOI
　　硅基科技公司采用具有自主知识产权的TM-SOI薄膜转移技术，利用低温微波氛围將(jiāng)注入的氢离子激活，实现行业较先進(jìn)的“硅片键合+薄膜转移”的裂片工艺，制造高质量、膜厚均匀的SOI晶圆片。
　　薄膜产品包括薄膜SOI（device layer>100nm）和超薄膜SOI(device layer <100nm)。

TM+EPI SOI
　　利用公司自有的TM-SOI薄膜转移技术与外延技术相结合，实现TM-SOI硅片的器件层增厚，制造优质的外延SOI晶圆片。同時(shí)，外延技术可以与TM-SOI技术结合，制备用于65nm-14nm节点采用的sSOI、Ge等相关的先進(jìn)材料。

Bonded SOI
　　在传统的键合SOI工艺基础上，采用高精度加工设备，实现更好(hǎo)的器件层厚度精度，从而改善片内均匀性和提高产品性能(néng)。
　　硅基科技与客户合作加工图形SOI，由客户提供有图形的衬底片，進(jìn)行後(hòu)续的键合、顶层磨抛工艺，形成(chéng)完整的结构。